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Infineon英飞凌FS35R12W1T4BOMA1模块IGBT MOD 1200V 65A 225W参数及方案应用详解 随着电子技术的快速发展,IGBT模块在电力电子领域的应用越来越广泛。Infineon英飞凌的FS35R12W1T4BOMA1模块是一款高性能的IGBT模块,具有1200V、65A、225W的参数,适用于各种电源、电机控制和充电桩等应用场景。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数解析 1. 电压:该模块支持最高1200V的电压,能够承受高电压的冲击,适用于需要承受
标题:Infineon(IR) AIKQ100N60CTXKSA1功率半导体IC DISCRETE 600V TO247-3的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体IC在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR) AIKQ100N60CTXKSA1功率半导体IC,以其独特的DISCRETE 600V TO247-3技术,为各类电子设备提供了高效、可靠的解决方案。 首先,AIKQ100N60CTXKSA1功率半导体IC采用了先进的沟槽N-MOS技术,具有高耐压、大电流、低导通
标题:Infineon IGW15N120H3FKSA1半导体IGBT技术与应用方案介绍 一、技术介绍 Infineon IGW15N120H3FKSA1是一款高性能的半导体IGBT,适用于各种电源和电机控制应用。其工作电压为1200V,电流容量为30A,最大功率为217W。该器件具有高输入阻抗、低导通压降和快速开关特性,使其在电源转换、电机驱动和变频器等领域具有广泛的应用前景。 二、应用方案 1. 电源转换:IGBT可用于电源转换电路中,如逆变器、开关电源等。通过控制IGBT的开关状态,可以
随着物联网技术的飞速发展,嵌入式系统已成为我们日常生活的一部分。在这其中,Infineon英飞凌的IM241M6T2BAKMA1模块CIPOS MICRO,以其卓越的性能和广泛的适用性,成为嵌入式系统设计者的首选。本文将详细介绍该模块的参数、方案应用以及优势。 一、IM241M6T2BAKMA1模块CIPOS MICRO的参数 IM241M6T2BAKMA1模块CIPOS MICRO是一款基于ARM Cortex-M4F处理器的嵌入式系统模块,具有以下主要参数: 1. 处理器:ARM Cort
标题:Infineon(IR) IKQ40N120CT2XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。在此背景下,Infineon(IR)的IKQ40N120CT2XKSA1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了业界的焦点。 IKQ40N120CT2XKSA1是一款具有TRENCH/FS技术的1200V 80A TO247-3封装的IGBT。其突出的特点在于其高耐压、大电流能力以及优
标题:Infineon品牌IKW30N65H5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3技术详解与方案介绍 Infineon品牌IKW30N65H5XKSA1半导体IGBT,一款具有TRENCH 650V 55A特性的TO247-3封装器件,在电力电子领域具有广泛的应用前景。该器件采用先进的沟槽技术,具有高饱和电压、低导通电阻和快速开关特性,适用于各种工业电机、变频器、电源和太阳能逆变器等应用场景。 技术特点: 1. 650V TRENCH封装技术,有效降低芯片热
标题:Infineon(IR) IKZA50N65RH5XKSA1功率半导体:技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在工业、交通、能源等领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA50N65RH5XKSA1功率半导体,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了业界的焦点。本文将深入探讨Infineon(IR)IKZA50N65RH5XKSA1功率半导体的技术特点和方案应用。 首先,让我们来了解一下IKZA50N65RH5XKSA1功率半导体的技术特点。这款半导体采用先进的沟槽N
标题:Infineon品牌IGW30N65L5XKSA1半导体IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3技术与应用方案介绍 一、技术特点 Infineon品牌IGW30N65L5XKSA1半导体IGBT是一款高性能的650V 30A TRENCHSTOP TO247-3封装产品。它具有高输入电容、低导通电阻和快速开关性能等特点,适用于各种工业电源和电机驱动系统。该芯片采用TO-247-3封装,具有高可靠性、低热阻和良好的散热性能。 二、应用方案 1. 电源转换:该芯片适用
标题:Infineon(IR) AIKW50N65DF5XKSA1功率半导体IC DISCRETE 650V TO247-3的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。在此背景下,Infineon(IR)公司推出的AIKW50N65DF5XKSA1功率半导体IC,以其DISCRETE 650V TO247-3的特性,成为了行业内的热门选择。本文将对该IC以及其应用方案进行详细介绍。 首先,AIKW50N65DF5XKSA1是一款具有高耐压、大电流特性的功率
Infineon的IKW50N65WR5XKSA1是一款高性能的半导体IGBT,采用TRENCH 650V技术,适用于各种电子设备,如变频器、电源转换器和电机控制等。该型号的IGBT采用了TO247-3封装,具有高效率、高可靠性以及高耐压等特点。 IKW50N65WR5XKSA1的技术特点包括:采用先进的TRENCH技术,使得芯片面积与额定电流之间具有更高的对应关系,从而提高了整体效率;采用TO247-3封装,具有高功率容量和高热传导性能,适用于各种高温和高压应用场景;同时还具有优异的热稳定性